В оптоволокне созданы полупроводниковые диоды
Инженеры из Массачусетского технологического института сумели создать полупроводниковые диоды в оптоволокне. При изготовлении оптического волокна исходная цилиндрическая заготовка, обычно выполняемая из диоксида кремния, имеет относительно большой диаметр. Длинную и тонкую нить формируют путём вытягивания, предварительно нагрев используемый материал.
Учёные давно заинтересовались возможностью встраивания полупроводников в волокно, но не могли преодолеть одну ограничение: полупроводящие материалы имеют слишком высокую температуру плавления, которая не достигается при вытягивании. Авторы нашли решение проблемы, снизив точку плавления компонентов составного полупроводника ZnSe (селенида цинка) за счёт смешивания с оловом и серой. В подготовленном полимерном стержне из полиэтилсульфона они просверлили небольшие отверстия, в которые были вставлены провода из олова и цинка, а затем покрыли последние тонким слоем сульфида селена. После этого заготовку «обернули» дополнительным слоем полимера.
В процессе вытягивания в волокне образовались наноразмерные домены ZnSe. Оловянные провода обеспечили электрический контакт, и в результате исследователи получили распределённые по длине волокна полупроводниковые диоды.
Подбирая реагенты, можно создавать таким способом самые разные полупроводниковые домены. «Этот метод открывает путь к производству многофункционального волокна, возможности которого не будут ограничиваться передачей фотонов», — резюмирует сотрудник Клемсонского университета Джон Баллато (John Ballato).
по информации: compulenta.ru