Графеновая память будущего - исследования Rice University
Исследователи из Rice University (USA) разработали ячейку памяти на основе диэлектрических наностержней, покрытых тонкими графеновыми слоями. Ученые изготовили нанокабели с сердцевиной из SiO2 и тонкой графитовой оболочкой толщиной 5-10 нм. Оказалось, что они обладают нелинейной вольт-амперной характеристикой. При низких значениях напряжения проводимость нанокабелей довольно высока, и сила тока монотонно растет с увеличением напряжения, а при некотором пороговом значении напряжения Vпорпроисходит резкий переход в непроводящее состояние.
Кроме того, устройство обладает эффектом памяти, т.е. его ВАХ зависит от того, в каком состоянии – проводящем или нет – оно находилось ранее. Так, если нанокабель перевести в непроводящее состояние импульсом более Vпор, то проводящее состояние восстанавливается лишь при некотором значении напряжения V<Vпор.
Из этого вытекает простой вывод – на основе таких нанокабелей можно сделать ячейку памяти, в которой нулям (выкл) и единицам (вкл) будут соответствовать состояния с низкой и высокой проводимостью. Тогда считывание, запись и стирание информации можно проводить импульсами напряжения, лежащими в соответствующих областях. Более 1000 циклов записи-чтения-стирания никак не повлияли на сохранность данных. Таким образом, устройство является энергонезависимой ячейкой памяти. Отношение сигнала в состояниях «вкл» и «выкл» достигает 107.
Испытания показали, что данные могут храниться по крайней мере несколько недель. И хотя запись и считывание проводились в вакууме, устройство стабильно на воздухе и даже при облучении рентгеновскими лучами.
Уже можно предположить, что описанные ячейки могут послужить для создания устройств хранения информации, в которых размер графеновых битов составляет менее 10 нм. Такая память будет энергонезависимой и достаточно надежной. Она сможет функционировать при температурах от -75 до 200 С, а также выдерживать рентгеновское излучение.
подробнее на сайте nanometer.ru