Transparent resistive random access memory, TRRAM - прозрачная память
Группа ученых из Корейского института науки и технологий (Южная Корея) опубликовала статью в журналеApplied Physics Letters, в которой сообщается о создании первой в мире действующей прозрачной микросхемы памяти. Свою разработку исследователи назвали «прозрачной резистивной памятью с произвольной выборкой» (transparent resistive random access memory, TRRAM).
Концепт мобильного телефона будущего Nokia Morph, в котором, по замыслу конструкторов, должны применяться прозрачные и гибкие электронные компоненты (изображение с сайта Nokia.Com)
По характеристикам микросхема напоминает широко используемую сейчас энергонезависимую память типа КМОП. Технологически же новые чипы во многом повторяют недавно разработанные образцы резистивной памяти с произвольной выборкой (resistive random access memory, RRAM). При изготовлении RRAM используются отличающиеся высокой прозрачностью металлооксидные материалы, и корейским ученым оставалось лишь отыскать подходящие прозрачные электроды и подложку и создать на этой основе микросхему. Коэффициент пропускания излучения в видимом диапазоне у готового изделия оказался равен 0,81.
«Мы открыли новый этап в развитии светопроницаемой электроники, — уверенно заявляет Джун Вон Сео (Jung Won Seo), ведущий автор работы. — Объединив TRRAM с другими прозрачными компонентами, можно создать завершенное — и просматриваемое насквозь — электронное устройство». По словам ученых, наладить производство микросхем TRRAM сравнительно просто, и до коммерческой реализации новой технологии осталось всего три-четыре года. Цена на такие устройства также не должна быть слишком высокой, поскольку в качестве подложки и электродов можно использовать практически любые прозрачные материалы.
Подготовлено по материалам Science Daily. compulenta.ru