Технология струйной печати монокристаллических тонких плёнок | Наука 21 век

Наука 21 век » Технология струйной печати монокристаллических тонких плёнок





Технология струйной печати монокристаллических тонких плёнок

Июль 18th, 2011

Показан способ струйной печати монокристаллических полупроводниковых тонких плёнокЯпонские учёные успешно опробовали технологию струйной печати монокристаллических тонких плёнок. Качество полупроводниковых плёнок прямо влияет на подвижность носителей заряда — ключевую характеристику транзисторов, изготавливаемых на их основе. Традиционные методики струйной печати не позволяют достичь высокой кристалличности производимых образцов, и авторы попытались модифицировать процесс, добавив к обычным чернилам — раствору органического полупроводника C8BTBT — жидкость, в которой C8BTBT не растворяется. Такой приём, кристаллизация с введением антирастворителя, давно известен химикам, но при печати ещё не использовался.

В нашем случае роль антирастворителя сыграл безводный диметилформамид. Эксперимент проводился на пьезоэлектрическом печатающем устройстве, способном выбрасывать капли объёмом 60 пл с частотой 500 Гц. Процесс был организован так, что капли антирастворителя попадали на обычную кремниевую подложку, покрытую диоксидом кремния, первыми, а потом на них наносились C8BTBT-чернила. На поверхности жидкости двух типов смешивались естественным образом.

Показан способ струйной печати монокристаллических полупроводниковых тонких плёнок

Массив монокристаллических плёнок C8BTBT, изготовленных печатным способом (иллюстрация Nature / Tatsuo Hasegawa).

Наблюдая в оптический микроскоп за тем, как жидкость постепенно испаряется с подложки, учёные отметили формирование моно- или поликристаллических плёнок C8BTBT толщиной 30–200 нм. После этого на базе полученных монокристаллов были сконструированы тонкоплёночные транзисторы с золотыми электродами стока и истока и диэлектрическим слоем затвора, выполненным из парилена С. Измерения показали вполне достойные среднюю подвижность носителей, доходящую до 16,4 см2•В–1•с–1, и отношение токов в открытом и закрытом состоянии, равное 105–107.

В ближайшие месяцы исследователи будут заниматься оптимизацией технологии. «Нам стоит поработать, к примеру, над контактами стока и истока в транзисторах, — говорит руководитель группы Тацуо Хасегава (Tatsuo Hasegawa). — Следующим шагом должно стать создание печатных металлических проводов, после чего можно будет продемонстрировать электронные устройства, все элементы которых изготовлены с помощью печатной технологии».

по информации: compulenta.ru